China quebra recorde com memória 10 mil vezes mais veloz

Dispositivo chinês rompe gargalos antigos e pode dar à IA o impulso que faltava, com tecnologia baseada em grafeno e gravações em picossegundos Pesquisadores da Universidade Fudan desenvolveram o dispositivo de armazenamento semicondutor mais rápido já registrado, uma memória flash não volátil batizada de “PoX”, capaz de programar um único bit em 400 picossegundos (0,0000000004 […]

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